[发明专利]MOSFET器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110853782.3 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594041A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 何志强;蔡文必;陶永洪;王海龙 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOSFET器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在宽带隙漂移层上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；去除部分第二掩膜层界定第一注入窗口；通过第一注入窗口注入形成阱区，得到第一器件结构；在第一器件结构上形成第三掩膜层，刻蚀部分第三掩膜层界定第二注入窗口；通过第二注入窗口注入形成重掺杂区，得到第三器件结构；在第三器件结构上形成第五掩膜层，刻蚀部分第五掩膜层露出第三掩膜层，去除第二掩膜层，界定第三注入窗口；通过第三注入窗口注入形成JFET注入区，得到第四器件结构。该方法能提高MOSFET器件的制备稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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