[发明专利]一种晶圆减薄方法在审
| 申请号： | 202110855120.X | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113764267A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮;陈武伟 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683;H01L21/78;B24B37/10;B24B37/30 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆减薄方法，其包括以下步骤：提供晶圆，所述晶圆包括芯片层和研磨层，在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线；沿所述减薄线减薄，减薄深度为所述芯片层厚度；在所述芯片层背离所述研磨层的表面涂设第一连接层；通过所述第一连接层将所述芯片层连接至晶圆研磨台；研磨所述研磨层，研磨深度为所述研磨层厚度；在所述芯片层背离所述第一连接层的表面涂设第二连接层；去除所述第一、二连接层，获取芯片。本申请的减薄方法，用于较薄的芯片层，在对研磨层研磨时，避免了芯片层的隐裂，有利于提高晶圆减薄精度，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆减薄 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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