[发明专利]用于掩模合成工具的剂量优化技术在审
| 申请号： | 202110856484.X | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN114002912A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | T·塞西尔 | 申请（专利权）人： | 美商新思科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/70 | 分类号： | G03F1/70;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于掩模合成工具的剂量优化技术。一种方法包括：接收集成电路(IC)芯片设计；以及通过一个或多个处理器基于IC芯片设计来生成剂量信息、晶片图像和晶片目标。该方法还包括：通过所述一个或多个处理器基于晶片图像和晶片目标的比较来修改剂量信息。该方法还包括：将经修改的剂量信息输出到掩模写入设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 合成 工具 剂量 优化 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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