[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 202110856765.5 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113534624A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 谷云鹏;吴长明;姚振海;陈骆;郭星;王城燚 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上涂布光阻，该光阻为正性光阻；对光阻进行软烘烤；对光阻进行曝光后，进行冷却以释放在曝光过程中产生的气体；对光阻进行曝光后的烘烤；对光阻进行显影。本申请通过在光刻过程中，在对光阻进行曝光后进行冷却以释放曝光中产生的气体，避免留存在光阻中的气体在后续的烘烤过程中受热膨胀产生缺陷，从而能够在一定程度上降低了光刻过程中形成气泡的几率，降低了光刻图形的缺陷，提高了产品的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110856765.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
