[发明专利]一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110858315.X | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113594252B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 徐童龄;卢星;邓郁馨;王钢;陈梓敏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/808;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为;冼俊鹏 |
| 地址： | 510275 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法，针对现有技术中如何解决器件反向耐压和导通电阻之间的矛盾提出本方案。主要特点在氧化镓漂移层上端面铺设超结P型掺杂层，使得超结P型掺杂层与氧化镓漂移层构成超结结构。优点在于，通过在氧化镓功率晶体管引入p型氧化物半导体形成异质pn结的超结结构，利用超结的耗尽作用改善关态时器件漂移区的电场分布，从而实现漂移区的全耗尽，大幅度提升器件反向耐压；另一方面，可以通过比例的增加氧化镓漂移层和超结P型掺杂层的掺杂浓度，在保持高反向耐压的同时显著降低器件导通电阻。此外，该方法巧妙的规避了氧化镓材料难以实现p型掺杂的局限，制备工艺简单可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 氧化 功率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110858315.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
