[发明专利]半导体存储器设备在审
| 申请号： | 202110861481.5 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114067900A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 郑凤吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器设备，包括：存储器单元区域，其包括存储器单元阵列；以及外围电路区域，其至少部分地与存储器单元区域重叠并且包括被配置为控制存储器单元阵列的操作的控制逻辑，其中控制逻辑包括状态机，被配置为响应于存储器单元区域的操作命令而输出多个状态信号，多个状态信号包括从第一输出端子输出的第一状态信号和从与第一输出端子不同的第二输出端子输出的第二状态信号，逻辑和计算器，被配置为基于第一状态信号或第二状态信号中的至少一个执行逻辑和计算，以及累加电路，被配置为接收逻辑和计算器的输出作为时钟信号，并响应于时钟信号而将触发信号输出到一个探测焊盘，累加电路通过穿透存储器单元区域的通孔导孔(THV)连接到探测焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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