[发明专利]芯片封装结构的制作方法在审
| 申请号： | 202110866673.5 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113611615A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 涂旭峰;王鑫璐 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种芯片封装结构的制作方法，包括：提供塑封中间体，塑封中间体包括至少一个裸片以及包覆裸片的塑封层；裸片包括位于活性面的若干焊盘，焊盘暴露在塑封层的正面；在塑封层的正面与背面中的一个上整面形成导电层；经塑封层的正面与背面中的另一个在塑封层内形成通孔，以导电层为供电层进行电镀工艺，填充通孔形成导电插塞；导电插塞包括相对的第一端与第二端，第一端与导电层连接；至少在导电插塞的第二端形成第一导电结构；图形化导电层形成第二导电结构。一方面，整面形成的导电层导电性能可靠，以导电层作为电镀深通孔的供电层时，电镀金属填充效果佳；另一方面，该导电层可经图形化形成导电结构，提高芯片封装结构的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子（重庆）有限公司，未经矽磐微电子（重庆）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110866673.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
