[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备在审

专利信息
申请号: 202110883409.2 申请日: 2021-08-02
公开(公告)号: CN113707667A 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 朱慧珑 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L27/11575 分类号: H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/1157;H01L27/1159;H01L27/11592;H01L27/11595;H01L27/11597;G11C16/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种NOR型存储器件及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例,该NOR型存储器件可以包括NOR单元阵列和外围电路。NOR单元阵列可以包括:第一衬底;第一衬底上的存储单元的阵列,每个存储单元包括相对于第一衬底竖直延伸的第一栅堆叠以及围绕第一栅堆叠的外周的有源区;电连接到第一栅堆叠的第一结合焊盘;以及电连接到存储单元的有源区的第二结合焊盘。外围电路可以包括:第二衬底;第二衬底上的外围电路元件;以及第三结合焊盘,至少一部分第三结合焊盘电连接到外围电路元件。NOR单元阵列和外围电路被设置为使得第一结合焊盘和第二结合焊盘中的至少一些与第三结合焊盘中的至少一些彼此相对。
搜索关键词: nor 存储 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备
【主权项】:
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