[发明专利]功率半导体元件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110890138.3 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN114068698A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈志濠;敦俊儒;沈依如 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种功率半导体元件及其形成方法，其中该功率半导体元件包括：基板；位于基板上的叠层，其依序包括III‑V族半导体缓冲结构、III‑V族半导体沟道结构、和III‑V族半导体阻障结构；位于叠层上的第一电极，并与该叠层之间形成欧姆接触；位于叠层上的第二电极，并与该叠层之间形成萧特基接触；以及位于第二电极下的V族元素供应层，其覆盖III‑V族半导体阻障结构的部分表面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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