[发明专利]半导体存储器件及操作半导体存储器件的方法在审

专利信息
申请号: 202110892968.X 申请日: 2021-08-04
公开(公告)号: CN114443345A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 金成来;李起准;李明奎;金浩渊;林秀熏;赵诚慧 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/42;G11C11/4078
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;赵莎
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎电路、行故障检测器电路和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括多个存储单元行。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎电路以对每个所述存储单元行执行多次错误检测操作。所述控制逻辑电路控制所述行故障检测器电路使其通过累积多个缺陷存储单元行中的各个缺陷存储单元行的错误参数,来存储与在其中的每一者中检测到至少一个错误的多个码字中的每个码字相关联的所述错误参数。所述行故障检测器电路基于所述错误参数的改变次数,判定在所述多个缺陷存储单元行中的每个缺陷存储单元行中是否发生行故障。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 操作 方法
【主权项】:
暂无信息
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