[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202110894805.5 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113539954B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 申松梅 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孙静;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构寄生电容较高的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：在基础层上形成绝缘结构，绝缘结构内设有多个间隔设置的第一容纳槽，多个第一容纳槽之间设有空气槽，空气槽与第一容纳槽间隔设置；形成覆盖绝缘结构、第一容纳槽的侧壁和槽底的第一支撑层，第一支撑层将空气槽封闭，第一容纳槽内的第一支撑层围合成第二容纳槽；沿第二容纳槽刻蚀第二容纳槽的槽底，第二容纳槽暴露基础层；在第二容纳槽内形成导线，导线填充在第二容纳槽中且与基础层相接触。通过在导线之间的绝缘结构中形成空气隙，空气隙可以降低绝缘结构的介电常数，从而降低了导线之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110894805.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种辅助学生午休回复精力式课桌
- 下一篇：半导体结构及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
