[发明专利]发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片有效
| 申请号： | 202110897055.7 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114038958B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 周毅;黄国栋;刘勇兴 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片，其中，发光芯片外延片的有源区发光层包括至少一个超晶格，超晶格包括：量子阱子层，形成于量子阱子层上，使量子阱子层由压应变转变到张应变的应力转变子层，增大阱宽，改善晶体质量；且该应力转变子层与量子阱子层形成二维电子气，使得局域具有更多的电子，进而使得薄层中的载流子密度显著提高，从而提高辐射复合概率，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 芯片 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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