[发明专利]能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法有效
| 申请号： | 202110897832.8 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113584585B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张兴茂;闫龙;王忠保;李小红;伊冉 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20;C30B15/04 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。该方法包括以下步骤：等径前工序中，调节氩气流量为120slm‑130slm，并保持该氩气流量至二段等径工序结束；并且，等径前工序中，调节单晶炉炉压为12 kPa‑15 kPa；一段等径工序中，将单晶炉炉压逐渐升高至18 kPa‑20 kPa；二段等径工序中，维持单晶炉炉压为18 kPa‑20 kPa。通过该方法生产重掺砷硅单晶，能够显著降低所制备的重掺砷硅单晶的电阻率，尤其是将重掺砷硅单晶晶棒的头部电阻率降低至0.0029Ω.cm以下，提高重掺砷硅单晶晶棒的综合利用率，降低生产成本。同时，重掺砷硅单晶晶棒拉制过程中，发生晶变导致NG的概率显著下降，进一步提高重掺砷硅单晶晶棒的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 降低 头部 电阻率 as 硅单晶 生产 方法 | ||
【主权项】：
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