[发明专利]改善对位偏孔的方法在审

专利信息
申请号: 202110901334.6 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN113811082A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 关俊轩;刘勇;许杏芳 申请(专利权)人: 安捷利美维电子(厦门)有限责任公司;广州美维电子有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 王忠浩
地址: 361026 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种改善对位偏孔的方法,选取待加工板件的孔位坐标,并标识处理;检测需要加工的孔位尺寸,选取钻孔规格为D2的钻头进行加工;选取钻孔规格为D1的钻头加工一次加工板件;将二次加工板件沉铜电镀处理;将电镀板件进行贴膜、对位曝光显影,蚀刻褪膜在PCB板上露出所需图形。采用多个规格的钻头连续加工的方式,进行对位孔的连续加工,由于钻小孔时钻机的钻头所需的扭矩较小,对孔壁影响度较低,同时小孔钻孔有利于散热,避免材料的溶解,最后才使用与对位孔径相同的钻刀钻出对位孔,这样就可以降低钻机所需的扭矩,减少震动,同时也大大降低热量,从而确保钻出良好的孔型,最终也保证了后续的曝光对位,从而避免了偏孔问题。
搜索关键词: 改善 对位 方法
【主权项】:
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