[发明专利]MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及可读存储介质在审

专利信息
申请号: 202110905628.6 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN113702866A 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 罗文庆;高桂芬;邵杰;苏建宝;刘海涛 申请(专利权)人: 上汽通用五菱汽车股份有限公司
主分类号: G01R31/52 分类号: G01R31/52;G01R31/26;G01R19/165
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 关向兰
地址: 545007 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质,该MOSFET漏电流检测装置包括:电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB,所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥MOSFET电路,所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接,所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间;所述电流检测模块,用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时,对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。本发明提高了MOSFET漏电流的检测精确度,并降低了检测成本。
搜索关键词: mosfet 漏电 检测 装置 系统 方法 可读 存储 介质
【主权项】:
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