[发明专利]一种低功耗高压电平移位电路在审
| 申请号： | 202110912301.1 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113541676A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 沈泽良 | 申请（专利权）人： | 宜矽源半导体南京有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江北*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
一种低功耗高压电平移位电路，包含第一MOS管M |
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| 搜索关键词： | 一种 功耗 高压 电平 移位 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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