[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110912304.5 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113675311A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;刘英策;卢利香;周弘毅;刘伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其外延叠层的边缘蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成台阶，且所述外延叠层的外围具有衬底裸露面；通过将DBR反射层覆盖所述外延叠层且裸露所述台阶的部分表面，所述DBR反射层具有裸露部分所述第二型半导体层的第一通孔。使所述第一电极和第二电极沿所述外延叠层的侧壁凹陷设计，在保证两者之间间距最大化的同时，增大所述第一电极、第二电极与所述外延叠层的附着力，避免电极脱落，从而有效解决LED芯片在固晶工艺过程中的锡膏短路问题，并提高LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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