[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110912369.X | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN114944182A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 田畑浩司 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一实施方式提供一种能够进行良好的动作的半导体存储装置。本发明的一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，在与衬底表面交叉的第1方向上排列，且在与第1方向交叉的第2方向上延伸；第1半导体柱，在第1方向上延伸，且与多个第1导电层对向；第1位线，在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸，且设置在从第1方向观察时与第1半导体柱重叠的位置；第1配线，包含从第1方向观察时与第1位线重叠的部分；及第2配线，包含从第1方向观察时与第1位线重叠的部分。当将第1配线的电压从高电位状态转变为低电位状态的期间设为第1期间，将第2配线的电压从低电位状态转变为高电位状态的期间设为第2期间时，第2期间的至少一部分与第1期间的至少一部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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