[发明专利]DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统有效

专利信息
申请号: 202110913483.4 申请日: 2021-08-10
公开(公告)号: CN113838494B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 李悦;弗兰克·陈;付文明 申请(专利权)人: 至誉科技(武汉)有限公司
主分类号: G11B33/14 分类号: G11B33/14
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 韩梦晴
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统,方法包括以下步骤:获取SSD上电工况;当SSD上电时,控制预定时间周期获取SSD温度;根据预定时间周期获取的SSD温度,获取SSD运行过程中的温度变化工况;当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时,控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准,控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准;控制通过DQS读写DRAM数据。本发明提供的DRAM DLL时序温度自适应校准方法,通过实时监测SSD的温度,并根据温度变化自适应地对DRAM进行相差训练,降低变温环境下相位差引发的数据出错风险。
搜索关键词: dram dll 时序 温度 自适应 校准 方法 系统
【主权项】:
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