[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110919264.7 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113851431A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 叶昶麟;黄耀霆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：基板；中介层，电连接于基板的上表面，中介层包括分别设置有I/O的第一I/O面和第二I/O面，第一I/O面与第二I/O面不平行，中介层内包括分别与第一I/O面处的I/O和第二I/O面处的I/O连接的迹线和通孔，其中，第一I/O面处的I/O或第二I/O面处的I/O中的一个是通孔切面，在俯视图中，通孔切面处的I/O是多个非同心圆通孔堆叠的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110919264.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
