[发明专利]半导体机台的气密性检测方法在审
| 申请号： | 202110928992.4 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113739992A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 钱龙 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/00 | 分类号： | G01M3/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体机台的气密性检测方法。所述半导体机台的气密性检测方法包括如下步骤：形成测试芯片，所述测试芯片包括衬底以及位于所述衬底上的测试膜层，所述测试膜层中具有测试图案，所述测试膜层具有化学反应活性；获取所述测试图案的第一特征尺寸；放置所述测试芯片至半导体机台内部；于所述半导体机台内部建立真空环境；获取自所述半导体机台内部取出后的所述测试图案的第二特征尺寸；判断所述第一特征尺寸是否大于所述第二特征尺寸，若是，则确认所述半导体机台的气密性差。本申请缩短了半导体机台气密性检测的时间，降低了半导体机台气密性检测的成本，并提高了半导体机台气密性检测的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 机台 气密性 检测 方法 | ||
【主权项】：
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