[发明专利]半导电屏蔽料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110932414.8 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113549276A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 堵志祥;陈卓;陈胜立;熊志辉;赵淑群;杨强;李秀娟 | 申请（专利权）人： | 浙江万马高分子材料集团有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/14 | 分类号： | C08L23/14;C08L23/06;C08L27/06;C08L53/02;C08L91/00;C08L83/04;C08K3/04;H01B3/44 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 311305 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导电屏蔽料及其制备方法。所述半导电屏蔽料包括以下组分：基料以及添加剂；其中，所述基料包括聚丙烯，聚乙烯或其衍生物以及热塑性弹性体；以重量份计，所述聚丙烯的含量为50份，所述聚乙烯或其衍生物的含量为5‑8份，所述热塑性弹性体的含量为6‑10份。本发明的半导电屏蔽料具有优异的耐低温性能，且能够回收再利用。进一步地，本发明的半导电屏蔽料能够满足EVA基材的屏蔽料的相关性能，且其低温脆化温度能够达到零下70℃，可以媲美现有EVA、EBA屏蔽料体系。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 屏蔽 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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