[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件有效
| 申请号： | 202110935939.7 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113658869B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 邹富伟;魏悦;唐霞 | 申请（专利权）人： | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/08;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件，该制作方法包括：形成栅极、有源层、源极和漏极的图形；有源层包括：源极接触区域、漏极接触区域和位于源极接触区域和漏极接触区域之间的沟道区域，源极接触区域和漏极接触区域包括：层叠设置的非晶硅层和非晶硅掺杂层，非晶硅层和非晶硅掺杂层通过对一非晶硅薄膜的表面进行离子注入得到，其中，非晶硅薄膜的被离子注入的上层膜层形成非晶硅掺杂层，未被离子注入的下层膜层形成非晶硅层；沟道区域包括非晶硅层，沟道区域的非晶硅层与源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层相连。本发明能够改善源漏电极和有源层之间的接触电阻，有利于非晶硅薄膜晶体管的性能的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
