[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202110937621.2 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113707566A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 霍炎;周文武 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 张相钦 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。所述制造方法包括：提供待布线结构，待布线结构包括至少一个芯片，芯片具有正面，芯片的正面设有多个焊垫；在芯片的正面形成第一绝缘层，第一绝缘层设有多个开口，每一开口暴露一个焊垫的至少部分；在第一绝缘层背离芯片的一侧形成导电膜层，导电膜层覆盖第一绝缘层背离芯片的表面及焊垫被所述开口暴露的部分，且导电膜层位于第一绝缘层背离芯片一侧的部分的厚度小于导电膜层覆盖焊垫的部分的厚度；将导电膜层超出第一绝缘层的部分去除，得到位于开口内且与焊垫直接接触的导电结构；在第一绝缘层背离芯片的一侧形成再布线结构，再布线结构与导电结构电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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