[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110947764.1 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115117072A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 前嶋洋 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;G11C5/06;G11C7/06;G11C7/18;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够缩小芯片面积的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1及第2存储单元(MT)，设置在衬底上方；位线(BL0)，在Y方向上延伸，与第1存储单元电连接；第1贴合焊垫(BP1、BP2)，与位线(BL0)电连接；感测放大器(SA0)，与第1贴合焊垫电连接，对位线(BL0)的电压进行感测；位线(BL1)，与位线(BL0)相邻地在Y方向上延伸，与第2存储单元电连接；第2贴合焊垫(BP1、BP2)，与位线(BL1)电连接；以及感测放大器(SA1)，与第2贴合焊垫电连接，对位线(BL1)的电压进行感测。第1贴合焊垫与第2贴合焊垫相邻而在Y方向上排列，感测放大器(SA0)与感测放大器(SA1)相邻而在与Y方向交叉的X方向上排列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
