[发明专利]集成亚微米超结的横向功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110956767.1 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113823694A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 章文通;吴旸;唐宁;乔明;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种集成亚微米超结的横向功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型埋层和第二导电类型埋层使用高能注入形成体内微米级超结，表面亚微米超结在埋层注入后使用较低能量的高能注入透过场氧化层形成，亚微米超结位于第二导电类型埋层上方；第一导电类型埋层和第二导电类型埋层在关态时优化器件表面电场保证器件耐压的同时，提高第一导电类型漂移区掺杂浓度。体内埋层超结主要起改善体内电场的作用，提高器件的耐压。亚微米超结的引入主要起提供表面低阻通路的作用，超结的条宽越窄，掺杂浓度越高，比导通电阻越低，在亚微米的条件下超结的浓度可以达到1e |
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| 搜索关键词： | 集成 微米 横向 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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