[发明专利]InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点在审
| 申请号： | 202110957163.9 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113637477A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 曹璠;杨绪勇;王胜 | 申请（专利权）人： | 浙江臻纳科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314499 浙江省嘉兴市海宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及量子点领域，特别是涉及InP量子点及制备方法、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS量子点，制备方法包括以下步骤：步骤S1，将硅基磷前驱体、脂肪酸铟前驱体及非配位溶剂在第一温度下混合，并升至第二温度，得到第一InP核；步骤S2，将氨基磷前驱体和脂肪酸铟前驱体逐滴滴加至第一InP核的反应体系，并在第三温度下反应，获得第二InP核，即获得InP量子点；其中，第三温度高于第二温度，第二InP核的尺寸大于第一InP核尺寸。本发明的方法可以低成本、简单地获得制备的InP量子点，半峰宽较窄，荧光产率较高。 | ||
| 搜索关键词： | inp 量子 制备 方法 znse zns | ||
【主权项】：
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