[发明专利]倒装红光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110960669.5 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113903844B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱迪;张强 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了倒装红光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在支撑衬底上通过衬底键合金属层与外延键合金属层键合之后，支撑衬底对外延键合金属层上的外延结构起到支撑作。衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层，外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层，Ag材料将光线有效反射至出光面，In金属子层降低得到的红光二极管中由于高温产生的热应力提高红光二极管的质量以提高红光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 红光 二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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