[发明专利]一种基于SOI和TSV技术的新型垂直MOSFET结构

摘要

本发明公开了一种基于SOI和TSV技术的新型垂直MOSFET结构，其特征在于，包括自下而上的衬底Si、埋氧化层SiO2、多晶硅p‑Si、源极区域、栅极区域、漏极区域；所述埋氧化层SiO2叠置于衬底Si上，得到SOI衬底；多晶硅p‑Si叠置于埋氧化层SiO2上；源极区域设置于埋氧化层SiO2之中，且与多晶硅p‑Si接触；栅极区域设置于多晶硅p‑Si硅通孔的侧壁中央；漏极区域处于多晶硅p‑Si的顶部。本发明将垂直MOSFET与SOI技术相结合，具有较大的漏极饱和电流，接近极限值的亚阈值斜率(SS)以及优秀的开关比(Ion/Ioff)，可以很好的应用于三维集成电路中尤其是作为开关器件，并且该垂直MOSFET结构具有良好的驱动能力。