[发明专利]电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构在审
| 申请号： | 202110962534.2 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN115912045A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 汪振中 | 申请（专利权）人： | 苏州旭创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/02345 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构，电吸收调制激光器芯片包括：衬底，衬底具有相对的上表面和下表面；激光发射部分，位于衬底的上表面，用于发射激光；调制部分，位于衬底的上表面，用于对激光发射部分发出的激光进行调制；背金属电极层，位于衬底的下表面；接地电极，位于衬底的上表面，并临近调制部分设置，且与背金属电极层相电性连接；信号电极，位于衬底的上表面，临近接地电极和调制部分设置，且与调制部分相电性连接；波导结构，耦合连接激光发射部分与调制部分。便于将激光器芯片封装之后，缩短信号回路和接地回路的传输路径，从而降低引线产生的寄生电感，提高激光器芯片的封装带宽，同时兼容直流和交流匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 调制 激光器 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
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