[发明专利]一种自旋极化耦合的GaN MOSFET在审
| 申请号： | 202110963314.1 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113690208A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人： | 福建晋润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/78;H01L29/20;F16F15/067 |
| 代理公司： | 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 | 代理人： | 魏昕 |
| 地址： | 361011 福建省厦门市湖里区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种自旋极化耦合的GaNMOSFET，包括GaNMOSFET，所述GaNMOSFET的底部电性连接有第一引脚，所述第一引脚的底端通过转轴转动连接连接块，所述连接块的底端通过弹簧弹性连接第二引脚。本发明通过在连接块与第二引脚之间设置弹簧，可以有效的增加抗振性能，当安装GaNMOSFET设备发生振动后，弹簧可以吸收部分动能，从而第一引脚或者第二引脚因振动而导致与设备断开连接的情况；本发明设置的第一引脚与连接块转动连接，安装好GaNMOSFET后，可以将GaNMOSFET弯折收起，不仅可以降低GaNMOSFET的重心，减小振动影响，同时也可以缩小安装空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 极化 耦合 gan mosfet | ||
【主权项】：
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