[发明专利]具有共用金属栅极并且具有带有偶极子层的栅极电介质的环绕栅集成电路结构的制造在审
| 申请号： | 202110966041.6 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN114256236A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | D·S·拉夫里克;D·M·克鲁姆;O·戈隆茨卡;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有共用金属栅极并且具有带有偶极子层的栅极电介质的环绕栅集成电路结构。例如，集成电路结构包括水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置。第一栅极堆叠体在所述水平纳米线的第一垂直布置之上，所述第一栅极堆叠体是在第一栅极电介质上具有P型导电层的PMOS栅极堆叠体，所述第一栅极电介质包括在第一偶极子材料层上的高k电介质层。第二栅极堆叠体在所述水平纳米线的第二垂直布置之上，所述第二栅极堆叠体是在第二栅极电介质上具有所述P型导电层的NMOS栅极堆叠体，所述第二栅极电介质包括在第二偶极子材料层上的所述高k电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 共用 金属 栅极 并且 带有 偶极子 电介质 环绕 集成电路 结构 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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