[发明专利]具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构的制造在审
申请号: | 202110966539.2 | 申请日: | 2021-08-23 |
公开(公告)号: | CN114256238A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | D·S·拉弗里克;D·M·克鲁姆;O·萨达特;O·戈隆兹卡;T·加尼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/8238 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 浩路;吕传奇 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构。例如,一种集成电路结构包括:水平纳米线的第一垂直布置以及水平纳米线的第二垂直布置。第一栅极堆叠处于水平纳米线的第一垂直布置之上,第一栅极堆叠具有在第一栅极电介质之上的P型导电层,第一栅极电介质包括在第一偶极材料层上的高k电介质层。第二栅极堆叠处于水平纳米线的第二垂直布置之上,第二栅极堆叠具有在第二栅极电介质之上的N型导电层,第二栅极电介质包括在第二偶极材料层上的高k电介质层。 | ||
搜索关键词: | 具有 附加 金属 栅极 偶极层 电介质 环绕 集成电路 结构 制造 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的