[发明专利]具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构的制造在审

专利信息
申请号: 202110966539.2 申请日: 2021-08-23
公开(公告)号: CN114256238A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: D·S·拉弗里克;D·M·克鲁姆;O·萨达特;O·戈隆兹卡;T·加尼 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/092 分类号: H01L27/092;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/8238
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 浩路;吕传奇
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构。例如,一种集成电路结构包括:水平纳米线的第一垂直布置以及水平纳米线的第二垂直布置。第一栅极堆叠处于水平纳米线的第一垂直布置之上,第一栅极堆叠具有在第一栅极电介质之上的P型导电层,第一栅极电介质包括在第一偶极材料层上的高k电介质层。第二栅极堆叠处于水平纳米线的第二垂直布置之上,第二栅极堆叠具有在第二栅极电介质之上的N型导电层,第二栅极电介质包括在第二偶极材料层上的高k电介质层。
搜索关键词: 具有 附加 金属 栅极 偶极层 电介质 环绕 集成电路 结构 制造
【主权项】:
暂无信息
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