[发明专利]具有间隔体沉积前切割栅极的全环栅集成电路结构的制造在审
| 申请号： | 202110967073.8 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN114256232A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | L·P·古勒尔;M·K·哈珀;W·许;B·古哈;T·加尼;N·祖斯布拉特;J·M·坦;B·克里格尔;M·K·哈兰;R·帕特尔;O·戈隆茨卡;M·哈桑 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/775;H01L29/78;H01L21/8234;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有间隔体沉积前切割栅极的全环栅集成电路结构。例如，集成电路结构包括水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置。第一栅极堆叠体在水平纳米线的第一垂直布置之上，而第二栅极堆叠体在水平纳米线的第二垂直布置之上。第二栅极堆叠体的一端与第一栅极堆叠体的一端间隔开一间隙。集成电路结构还包括电介质结构，该电介质结构具有沿第一栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第一部分、沿第二栅极堆叠体的侧壁形成栅极间隔体的第二部分、以及完全填充间隙的第三部分，第三部分与第一和第二部分连续。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 间隔 沉积 切割 栅极 全环栅 集成电路 结构 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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