[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底和鳍部材料层；刻蚀部分厚度鳍部材料层，形成初始鳍部，且刻蚀时具有第一刻蚀速率比；刻蚀初始鳍部露出的剩余鳍部材料层，形成凸立于衬底上的鳍部，鳍部由下而上包括底部鳍部、第一部分鳍部和第二部分鳍部，第二部分鳍部和第一部分鳍部构成有效鳍部，在刻蚀初始鳍部露出的部分厚度鳍部材料层时具有第二刻蚀速率比，第二刻蚀速率比小于第一刻蚀速率比，用于使得所述第一部分鳍部的底部线宽小于所述第一部分鳍部的顶部线宽；形成隔离层，覆盖底部鳍部侧壁并露出有效鳍部。本发明减小漏电流且减小对开启电流的影响，从而提高晶体管的开关电流比。