[发明专利]一种去除量子点发射图谱中杂质峰的方法有效
| 申请号： | 202110978965.8 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN113528140B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 孙培川;宋斌;梁凯旋 | 申请（专利权）人： | 合肥福纳科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/56;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 黄燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除量子点发射图谱中杂质峰的方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：将量子点溶液进行冷冻处理以使杂质峰对应的量子点沉淀，随后除去沉淀；其中，量子点溶液中的量子点包括II‑VI族量子点和III‑V族量子点中的至少一种，量子点溶液中的与量子点阳离子元素配位的第一配体包括三正辛基氧膦、正磷酸十八酯或油酸。该方法能够有效去除量子点发射图谱中的杂质峰，有利于量子点的后期生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 量子 发射 图谱 杂质 方法 | ||
【主权项】：
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