[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 202110981153.9 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114141655A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 御所真高;山本周;浦智仁;冈村聪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基片处理装置和基片处理方法，其能够简化对在排出管线中流动的流体中的干燥液的浓度进行测量的浓度测量部的结构。基片处理装置通过将形成于基片的干燥液的液膜置换为超临界流体，来使上述基片干燥。基片处理装置包括压力容器、排出管线、减压阀和浓度测量部。上述压力容器在内部收纳形成有上述液膜的上述基片。上述排出管线将上述压力容器的内部的流体排出。上述减压阀设置在上述排出管线的中途。上述浓度测量部测量在上述排出管线中流动的流体中的上述干燥液的浓度。上述浓度测量部设置在比上述排出管线的上述减压阀靠下游处，测量由上述减压阀减压了的流体中的上述干燥液的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
