[发明专利]一种镁基空心纳米材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110982167.2 申请日: 2021-08-25
公开(公告)号: CN113667935B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 胡军;杨家赫;谢波 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;B82Y30/00;B82Y40/00;C01F5/04
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 周红芳
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种镁基空心纳米结构的制备方法,利用团簇束流沉积设备采用多靶磁控等离子体气体聚集法,以高纯氩气作为溅射和缓冲气,将高纯氧气随缓冲气一起通入,且溅射源至少包含一个是以镁为溅射靶材,一个以钯为溅射靶材。将镁、钯靶材电离、加速,形成的纳米颗粒束流高能沉积在衬底上,通过调整团簇束流沉积设备参数、控制氧气通入量,使得到的空心纳米颗粒直径约为50~500 nm,从而制得所述镁基空心纳米材料。本发明利用团簇束流沉积设备所制备出的镁基空心纳米结构,具有优良的结构特性,且产物纯度高,基本没有杂质存在,本发明的生产方式成本低、流程短、设备要求不高,易于放大实验且可实现工业化生产。
搜索关键词: 一种 空心 纳米 材料 制备 方法
【主权项】:
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