[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110987052.2 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN114122209A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 林子翔;陈之皓;吴玮哲;陈英杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件包含：基板，包含上表面及第一侧面至第四侧面，其中上表面包含第一边连接第一侧面及第二边连接第二侧面；第一激光切痕，位于第一侧面及第二侧面；以及半导体叠层位于基板的上表面上，其中半导体叠层包含下表面，下表面包含第五边邻近第一边以及第六边相对第五边且邻近第二边；其中，第一边与第五边的距离为S1μm，第二边与第六边的距离为S2μm；自第三侧面观之，第一侧面与垂直方向形成第一锐角，其角度为θ1，第二侧面与垂直方向形成第二锐角，其角度为θ2，第一激光切痕于垂直方向上与上表面的距离为D1μm，且满足D1≤0.2×(S1+S2)/tanθa，其中θa＝(θ1+θ2)/2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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