[发明专利]存储芯片的制作方法及存储芯片在审
| 申请号： | 202110988688.9 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115732398A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 谈杰;俞冰;黎美 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L25/065;H10B12/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 710000 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种存储芯片的制作方法及存储芯片。该存储芯片的制作方法包括：提供第一晶圆；第一晶圆包括第一衬底、第一金属层以及连接第一金属层的第一连接孔，第一连接孔设置于第一衬底的一侧，或设置于背离第一衬底的一侧；提供第二晶圆；第二晶圆包括第二衬底、第二金属层以及连接第二金属层的第二连接孔，第二连接孔设置于第二衬底的一侧，或，设置于背离第二衬底的一侧；将第一晶圆通过第一连接孔与第二晶圆的第二连接孔层叠键合连接，以形成存储芯片。该存储芯片的制作方法工艺过程较为简单，产品良率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
