[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202110994162.1 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN114122075A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 丁元俊;朴相武;郑解霖 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王永建 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种显示装置及其制造方法,尤其是公开了一种具有桥接线的GIP型显示装置,所述桥接线将电容器区域中的两个相邻的分压电容器彼此相连,使得在向薄膜晶体管供应扫描信号或感测信号时,在非显示区域中的电容器区域中不会发生泄漏。此外,公开了一种用于制造该显示装置的方法。为此,在基板上形成遮光膜,在遮光膜上形成缓冲和栅极绝缘膜,在缓冲和栅极绝缘膜上形成栅极金属膜,在栅极金属膜上形成层间绝缘膜,以及在层间绝缘膜上形成源漏极金属膜,所述源漏极金属膜形成将所述两个相邻的分压电容器彼此相连的所述桥接线。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的