[发明专利]一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构有效

专利信息
申请号: 202110997344.4 申请日: 2021-08-27
公开(公告)号: CN113689899B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 谢成民;崔千红;杨靓;李海松;李立;马蕊;朱吉喆 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/06;G11C7/18;G11C8/10;G11C8/14;G11C11/413;G06F3/06
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 姚咏华
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构,在存储阵列分为上存储列阵和下存储列阵,同时在其端部均分别连接灵敏放大器、读写驱动模块和列地址译码电路,上存储列阵的存储单元将由上面的灵敏放大器读出,下存储列阵将由下面的灵敏放大器读出,这样不仅会减小分块设计的级数,避免引入多余的外围电路,进而减小存储器的版图面积,增加版图密度,实现静态存储器存取速度的提升以及功耗的降低。本发明相比较传统分块设计的结构,减小了位线放电幅度进而负载,降低了最坏路径延迟和存储器的功耗,达到提高整体存储器读取速度的目的;最后,本发明所提出的方法适用于各种存储器的电路架构设计,具有良好的应用前景和经济效益。
搜索关键词: 一种 存储 阵列 电路 结构 大型
【主权项】:
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