[发明专利]半导体存储器装置在审
申请号: | 202111002882.1 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN115036321A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 久保田吉博;岩崎太一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11565 | 分类号: | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据一实施例,一种半导体存储器装置包含衬底、源极线、多个字线、柱及第一触点部分。所述字线沿第一方向彼此间隔开。所述柱的底部部分到达所述源极线。所述第一触点部分设置于所述衬底上。所述第一触点部分连接于所述源极线与所述衬底之间。所述第一触点部分的内部或其中包含于所述源极线中的导电层与所述第一触点部分接触的部分包含充当二极管的部分。充当所述二极管的所述部分沿从所述源极线朝向所述衬底的反向方向被电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的