[发明专利]半导体存储器装置在审

专利信息
申请号: 202111002882.1 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN115036321A 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 久保田吉博;岩崎太一 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/11565 分类号: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据一实施例,一种半导体存储器装置包含衬底、源极线、多个字线、柱及第一触点部分。所述字线沿第一方向彼此间隔开。所述柱的底部部分到达所述源极线。所述第一触点部分设置于所述衬底上。所述第一触点部分连接于所述源极线与所述衬底之间。所述第一触点部分的内部或其中包含于所述源极线中的导电层与所述第一触点部分接触的部分包含充当二极管的部分。充当所述二极管的所述部分沿从所述源极线朝向所述衬底的反向方向被电连接。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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