[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111013804.1 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113725196A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 于洪浩;王思聪;刘严伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括半导体层、以及位于所述半导体层顶面的顶层互连层；对准标记，位于所述半导体层上方；介质层，位于所述半导体层上方，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。本发明能够提高对对准标记识别的准确度与清晰度，有助于提高半导体产品的良率，改善半导体产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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