[发明专利]一种半导体测试结构和方法在审

专利信息
申请号: 202111015499.X 申请日: 2021-08-31
公开(公告)号: CN113782517A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 陈亮 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 徐雯;张颖玲
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请公开了一种半导体测试结构和方法,包括:沿切割道延伸方向依次排布的多个测试子结构和N个控制焊盘,N≥2;每个测试子结构包括一测试焊盘、N个待测结构和N个选择开关;其中,每个待测结构均通过一选择开关与测试焊盘电连接;针对每个测试子结构,N个选择开关分别与N个控制焊盘电连接,控制焊盘用于控制其电连接的选择开关的开关状态。本申请实施例通过在测试焊盘与待测结构之间设置选择开关,并通过控制焊盘控制选择开关的开关状态,使得可以根据测试需求,控制相关待测结构电连接的选择开关的开关状态,从而在不增加测试焊盘的情况下,增加了可测试的待测结构,且实现对待测结构选择性的测试,提高了测试的灵活性和可选择性。
搜索关键词: 一种 半导体 测试 结构 方法
【主权项】:
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