[发明专利]一种MOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 202111023384.5 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113764525A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;唐呈前;杨科;完颜文娟;常虹 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件领域。能够有效的增强栅极的抗静电和抗冲击能力，并通过ESD多晶硅层作为掩膜版阻挡P型体区在外围的注入达到器件耐压的目的。包括：第一导电类型漂移层上设置有源区沟槽，有源区沟槽之间与有源区沟槽的一侧设置第二层第一导电类型源区，有源区沟槽位于MOSFET区域；位于MOSFET区域的非掺杂多晶硅层上设置有第一层第二导电类型体区；非掺杂多晶硅层设置在第一导电类型漂移层上方；位于ESD区域内的非掺杂多晶硅层上设置第一层第二导电类型体区和第一层第一导电类型源区；位于Rg区域内的非掺杂多晶硅层上设置有第一层第二导电类型体区，第一导电类型漂移层内设置有第二层第二导电类型体区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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