[发明专利]一种Micro-LED芯片的巨量转移方法有效
| 申请号： | 202111025739.4 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113471339B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 罗雪方;陈文娟;罗子杰 | 申请（专利权）人： | 罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市经济技术开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法。在每个Micro‑LED芯片的第一、第二侧面分别形成多个第一、第二辅助部，多个所述第一、第二辅助部均位于外围辅助区域中，并且对每个所述Micro‑LED芯片的功能核心区域的非有源功能面进行刻蚀处理，以形成多个相互分离的第一凹槽，进而可以增大第二暂态基板上的第二粘结层与Micro‑LED芯片的接触面积，进而可以提高Micro‑LED芯片在转移过程中的稳定性，且由于在功能核心区域的外侧形成第一、第二辅助部，而不是完全保留外围辅助区域，则是为了方便转移完成后的去除该第一、第二辅助部。上述转移方法可以确保巨量转移的精度和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 巨量 转移 方法 | ||
【主权项】：
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