[发明专利]锗晶体用抛光液及其制备方法在审
| 申请号： | 202111030631.4 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113583573A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 杨安;黄雪丽;尹士平 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 239004 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种锗晶体用抛光液。所述抛光液按重量计％，主要由下列原料组成：抛光剂：20％～80％；有机溶剂为：10％～50％；pH值调节剂：1％～30％；余量为去离子水。并提供了一种锗晶体用抛光液的制备方法，包括步骤：步骤一，将抛光剂加去离子水在搅拌条件下加入有机溶剂；步骤二，将pH添加剂加入步骤一中，搅拌均匀后得到抛光液。本申请的锗晶体用抛光液不含有氧化剂，不含重金属离子，对环境无污染。抛光后晶片粗糙度较低，不容易起划痕，抛光液化学试剂简单，是理想的抛光液材料。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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