[发明专利]内置释放孔结构的谐振器在审

专利信息
申请号: 202111031470.0 申请日: 2021-09-03
公开(公告)号: CN113872561A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 孙成亮;罗天成;蔡耀;刘炎;邹杨;高超;龙开祥 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/02
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 肖明洲
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种内置释放孔结构的谐振器,具体指一种具有高品质因数,带有内置释放孔结构的薄膜体声波谐振器。该谐振器在压电层表面分布有底电极和顶电极,在谐振器工作区域内部有一个或多个释放孔的存在。该谐振器可用滤波器、双工器等的搭建。利用该谐振器搭建的滤波器、双工器等不仅具有高品质因数,而且能够使得结构布局更为紧凑,减小器件面积。
搜索关键词: 内置 释放 结构 谐振器
【主权项】:
暂无信息
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