[发明专利]一种高压NPN器件在审
| 申请号： | 202111035454.9 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113823678A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张炜 | 申请（专利权）人： | 无锡市晶源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 张彩珍 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成JFET管钳位结构的高压NPN器件，包括低压NPN三极管，还包括JFET管，所述低压NPN三极管与所述JFET管集成；所述低压NPN三极管的集电极接所述JFET管的源极；所述JFET管的漏极作为所述高压NPN器件的集电极；所述低压NPN三极管的基极和发射极分别作为所述高压NPN器件的基极和发射极。本发明使用常规的低压工艺设计制造，也不需增加其他器件面积，即可满足耐高压要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 npn 器件 | ||
【主权项】：
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